Родился 15 марта 1930 г. в г. Витебске в семье Ивана Карповича и Анны Владимировны Алфёровых, уроженцев Белоруссии. Отец восемнадцатилетним юношей в 1912 г. приехал в Санкт-Петербург. Работал грузчиком в порту, разнорабочим на конвертной фабрике, рабочим на заводе «Лесснер» (впоследствии «Завод им. Карла Маркса»). В первую мировую дослужился до звания унтер-офицера лейб-гвардии, став георгиевским кавалером.

В сентябре 1917 г. И.К.Алфёров вступил в партию большевиков и на всю жизнь остался верен избранным в юности идеалам. Об этом, в частности, свидетельствуют и горькие слова самого Жореса Ивановича: «Я счастлив, что мои родители не дожили до этого времени» (1994 г.). В гражданскую войну И.К.Алфёров командовал кавалерийским полком Красной Армии, встречался с В.И.Лениным, Л.Д.Троцким, Б.Б.Думенко. После окончания Промакадемии в 1935 г. он прошёл путь от директора завода до начальника треста: Сталинград, Новосибирск, Барнаул, Сясьстрой (под Ленинградом), Туринск (Свердловская область, военные годы), Минск (после войны). Ивану Карповичу были свойственны внутренняя порядочность и нетерпимость к огульному осуждению людей.

Анна Владимировна обладала ясным умом и большой житейской мудростью, во многом унаследованной сыном. Работала в библиотеке, возглавляла совет жён-общественниц.

Ж.И.Алфёров с родителями, Анной Владимировной и Иваном Карповичем (1954 г.).

Супруги, как большинство людей того поколения, стойко верили в революционные идеи. Тогда появилась мода давать детям звучные революционные имена. Младший сын стал Жоресом в честь французского революционера Жана Жореса, а старший – Марксом, в честь основоположника научного коммунизма. Жорес и Маркс были директорскими детьми, а значит, нужно было быть примером и в учёбе, и в общественной жизни.

Молох репрессий обошёл стороной семью Алфёровых, но война взяла своё. Маркс Алфёров закончил школу 21 июня 1941 г. в Сясьстрое. Поступил в Уральский индустриальный институт на энергетический факультет, но проучился лишь несколько недель, а потом решил, что его долг – защищать Родину. Сталинград, Харьков, Курская дуга, тяжёлое ранение в голову. В октябре 1943 г. он провёл три дня с семьёй в Свердловске, когда после госпиталя возвращался на фронт. И эти три дня, фронтовые рассказы старшего брата, его страстную юношескую веру в силу науки и инженерной мысли Жорес запомнил на всю жизнь. Гвардии младший лейтенант Маркс Иванович Алфёров погиб в бою во «втором Сталинграде» – так называли тогда Корсунь-Шевченковскую операцию.

В 1956 г. Жорес приехал на Украину, чтобы найти могилу брата. В Киеве, на улице, он неожиданно встретил своего сослуживца Б.П.Захарченю, ставшего впоследствии одним из ближайших его друзей. Договорились поехать вместе. Купили билеты на пароход и уже на следующий день плыли вниз по Днепру к Каневу в двухместной каюте. Нашли деревню Хильки, около которой Маркс Алфёров яростно отражал попытку отборных немецких дивизий выйти из корсунь-шевченковского «котла». Нашли братскую могилу с белым гипсовым солдатом на постаменте, высящемся над буйно разросшейся травой, в которую были вкраплены простые цветы, какие обычно сажают на русских могилах: ноготки, анютины глазки, незабудки.

В разрушенном Минске Жорес учился в единственной в то время русской мужской средней школе № 42, где был замечательный учитель физики - Яков Борисович Мельцерзон. В школе не было физического кабинета, но влюблённый в физику Яков Борисович умел передать ученикам свое отношение к любимому предмету, так что в довольно хулиганистом классе никогда не шалили. Жорес, поражённый рассказом Якова Борисовича о работе катодного осциллографа и принципах радиолокации, поехал в 1947 г. учиться в Ленинград, в Электротехнический институт, хотя его золотая медаль открывала возможность поступления в любой институт без экзаменов. Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И.Ульянова (Ленина) был учреждением с уникальным названием: в нём упомянуты и настоящая фамилия, и партийная кличка человека, которого часть населения бывшего СССР теперь не очень почитает (нынче это Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет).

Фундамент науки в ЛЭТИ, сыгравшем выдающуюся роль в развитии отечественной электроники и радиотехники, был заложен такими «китами», как Александр Попов, Генрих Графтио, Аксель Берг, Михаил Шателен. Жоресу Ивановичу, по его словам, очень повезло с первым научным руководителем. На третьем курсе, считая, что математика и теоретические дисциплины даются легко, а «руками» нужно многому учиться, он пошёл работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П.Козырева. Там, начав в 1950 г. экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной, незадолго до этого защитившей диссертацию по исследованию полупроводниковых фотоприёмников в ИК-области спектра, Ж.И.Алфёров впервые столкнулся с полупроводниками, ставшими главным делом его жизни. Первой проштудированной монографией по физике полупроводников стала книга Ф.Ф.Волькенштейна «Электропроводность полупроводников», написанная во время блокады Ленинграда. В декабре 1952 г. проходило распределение. Ж.И.Алфёров мечтал о Физтехе, возглавляемом Абрамом Фёдоровичем Иоффе, монография которого «Основные представления современной физики» стала для молодого учёного настольной книгой. При распределении были три вакансии, и одна досталась Ж.И.Алфёрову. Жорес Иванович много позже писал, что его счастливая жизнь в науке была предопределена именно этим распределением. В письме родителям в Минск он сообщил о выпавшем ему огромном счастье работать в институте Иоффе. Жорес тогда ещё не знал, что Абрама Фёдоровича за два месяца до этого вынудили уйти из созданного им института, где он директорствовал более 30 лет.

Систематические исследования полупроводников в Физико-техническом институте были начаты ещё в 30-е гг. прошлого века. В 1932 г. В.П.Жузе и Б.В.Курчатов исследовали собственную и примесную проводимость полупроводников. В том же году А.Ф.Иоффе и Я.И.Френкель создали теорию выпрямления тока на контакте металл–полупроводник, основанную на явлении туннелирования. В 1931-м и 1936 гг. Я.И.Френкель опубликовал свои знаменитые работы, в которых предсказал существование экситонов в полупроводниках, введя сам этот термин и разработав теорию экситонов. Первая диффузионная теория выпрямляющего p–n -перехода, ставшая основой теории p–n -перехода В.Шокли, была опубликована Б.И.Давыдовым в 1939 г. По инициативе А.Ф.Иоффе с конца 40-х гг. в Физтехе были начаты исследования интерметаллических соединений.

30 января 1953 г. Ж.И.Алфёров приступил к работе у нового научного руководителя, в то время заведующего сектором, кандидата физико-математических наук Владимира Максимовича Тучкевича. Перед небольшим коллективом сектора была поставлена очень важная задача: создание первых отечественных германиевых диодов и транзисторов с p–n-переходами (см. «Физику» № 40/2000, В.В.Рандошкин . Транзистор). Тема «Плоскость» была поручена правительством параллельно четырём институтам: ФИАНу и ФТИ в Академии наук, ЦНИИ-108 – главному в то время радиолокационному институту Министерства обороны в Москве (во главе с академиком А.И.Бергом) – и НИИ-17 – головному институту электронной техники во Фрязино, под Москвой.

Физтех в 1953 г., по нынешним меркам, был небольшим институтом. Ж.И.Алфёров получил пропуск № 429 (что означало численность всех сотрудников института на тот момент). Потом большинство знаменитых физтеховцев уехали в Москву к И.В.Курчатову и в другие вновь создаваемые «атомные» центры. «Полупроводниковая элита» ушла вместе с А.Ф.Иоффе в недавно организованную лабораторию полупроводников при президиуме АН СССР. В ФТИ из «старшего» поколения «полупроводниковцев» остались лишь Д.Н.Наследов, Б.Т.Коломиец и В.М.Тучкевич.

Новый директор ЛФТИ, академик А.П.Комар, далеко не лучшим образом вёл себя по отношению к своему предшественнику, но в развитии института избрал вполне разумную стратегию. Основное внимание уделялось поддержке работ по созданию качественно новой полупроводниковой электроники, космических исследований (газодинамика больших скоростей и высокотемпературные покрытия - Ю.A.Дунаев) и разработке методов разделения лёгких изотопов для водородного оружия (Б.П.Константинов). Не забывались и чисто фундаментальные исследования: именно в это время был экспериментально открыт экситон (Е.Ф.Гросс), созданы основы кинетической теории прочности (С.Н.Журков), начаты работы по физике атомных столкновений (В.М.Дукельский, К.В.Федоренко). Блестящий доклад Е.Ф.Гросса об открытии экситона прозвучал на первом для Ж.И.Алфёрова полупроводниковом семинаре в Физтехе в феврале 1953 г. Он испытал ни с чем не сравнимое ощущение – быть свидетелем рождения выдающегося открытия в той области науки, в которой делаешь свои первые шаги.

Дирекция ФТИ прекрасно понимала необходимость привлечения молодёжи в науку, и каждый приходящий молодой специалист проходил собеседование в дирекции. Именно в это время были приняты в Физтех будущие члены Академии наук СССР Б.П.Захарченя, А.А.Каплинский, Е.П.Мазец, В.В.Афросимов и многие другие.

В Физтехе Ж.И.Алфёров очень быстро дополнил свое инженерно-техническое образование физическим и стал высококлассным специалистом по квантовой физике полупроводниковых приборов. Главной была работа в лаборатории – Алфёрову посчастливилось быть участником рождения советской полупроводниковой электроники. Жорес Иванович как реликвию хранит свой лабораторный журнал того времени с записью о создании им 5 марта 1953 г. первого советского транзистора с p–n -переходом. Сегодня можно удивляться, как очень небольшой коллектив очень молодых сотрудников под руководством В.М.Тучкевича в течение нескольких месяцев разработал основы технологии и метрологии транзисторной электроники: А.А.Лебедев – получение и легирование совершенных монокристаллов германия, Ж.И.Алфёров – получение транзисторов с параметрами на уровне лучших мировых образцов, А.И.Уваров и С.М.Рывкин – создание прецизионной метрики кристаллов германия и транзисторов, Н.С.Яковчук – разработка схем на транзисторах. В этой работе, которой коллектив отдавался со всей страстью молодости и сознанием высочайшей ответственности перед страной, очень быстро и эффективно шло формирование молодого учёного, понимание значения технологии не только для создания новых электронных приборов, но и для физических исследований, роли и значения «мелких», на первый взгляд, деталей в эксперименте, необходимости понимания «простых» основ прежде выдвигания «высоконаучных» объяснений неудачных результатов.

Уже в мае 1953 г. первые советские транзисторные приёмники демонстрировались «высокому начальству», а в октябре в Москве работу принимала правительственная комиссия. ФТИ, ФИАН и ЦНИИ-108, используя разные методики конструирования и технологии изготовления транзисторов, успешно решили задачу, и лишь НИИ-17, слепо копируя известные американские образцы, провалил работу. Правда, созданному на основе одной из его лабораторий первому в стране полупроводниковому институту НИИ-35 и была поручена разработка промышленной технологии транзисторов и диодов с p–n -переходами, с которой они успешно справились.

В последующие годы небольшой коллектив «полупроводниковцев» ФТИ заметно расширился, и в очень короткое время в лаборатории уже доктора физмат наук профессора В.М.Тучкевича были созданы первые советские германиевые силовые выпрямители, германиевые фотодиоды и кремниевые солнечные батареи, исследовано поведение примесей в германии и кремнии.

В мае 1958 г. к Ж.И.Алфёрову обратился Анатолий Петрович Александров, будущий президент Академии наук СССР, с просьбой разработать полупроводниковые устройства для первой советской атомной подводной лодки. Для решения этой задачи нужны были принципиально новые технология и конструкция германиевых вентилей. Младшему научному сотруднику лично (!) звонил заместитель Председателя Правительства СССР Дмитрий Фёдорович Устинов. Пришлось на два месяца поселиться прямо в лаборатории, и работа была успешно выполнена в рекордно короткие сроки: уже в октябре 1958 г. устройства стояли на подводной лодке. Для Жореса Ивановича и сегодня полученный в 1959 г. за эту работу первый орден является одной из самых ценных наград!

Ж.И.Алфёров после вручения правительственной награды за работы по заказу ВМФ СССР

Установка вентилей была связана с многочисленными поездками в Северодвинск. Когда на «приёмку темы» приехал заместитель главкома ВМС и ему доложили, что теперь па подлодках стоят новые германиевые вентили, адмирал поморщился и раздражённо спросил: «А что же, отечественных не нашлось?».

В Кирово-Чепецке, где усилиями многих сотрудников Физтеха велись работы по разделению изотопов лития с целью создания водородной бомбы, Жорес познакомился со многими замечательными людьми и живо их описывал. Б.Захарченя запомнил такой его рассказ о Борисе Петровиче Звереве – зубре «оборонки» сталинских времён, главном инженере завода. Во время войны, в самое её тяжёлое время, он руководил предприятием, занимавшимся электролитическим получением алюминия. В технологическом процессе использовалась патока, хранившаяся в огромном чане прямо в цехе. Голодные рабочие её разворовывали. Борис Петрович созвал рабочих на собрание, произнёс прочувствованную речь, затем поднялся по лестнице к верхнему краю чана, расстегнул штаны и помочился на виду у всех в чан с патокой. На технологию это не повлияло, но патоку уже никто не воровал. Жореса очень забавляло это чисто русское решение вопроса.

За успешную работу Ж.И.Алфёров регулярно поощрялся денежными премиями, вскоре получил звание старшего научного сотрудника. В 1961 г. он защитил кандидатскую диссертацию, посвящённую в основном разработке и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей. Заметим, что в этих приборах, как и во всех ранее созданных полупроводниковых приборах, использовались уникальные физические свойства p–n -перехода – искусственно созданного в полупроводниковом монокристалле распределения примесей, при котором в одной части кристалла носителями заряда являются отрицательно заряженные электроны, а в другой – положительно заряженные квазичастицы, «дырки» (латинские n и p как раз и значат negative и positive ). Поскольку различается лишь тип проводимости, а вещество одно и то же, p–n -переход можно назвать гомопереходом .

Благодаря p–n -переходу в кристаллах удалось осуществить инжекцию электронов и дырок, а простая комбинация двух p–n -переходов позволила реализовать монокристаллические усилители с хорошими параметрами – транзисторы. Наибольшее распространение получили структуры с одним p–n -переходом (диоды и фотоэлементы), двумя p–n -переходами (транзисторы) и тремя p–n -переходами (тиристоры). Всё дальнейшее развитие полупроводниковой электроники шло по пути исследования монокристаллических структур на основе германия, кремния, полупроводниковых соединений типа А III B V (элементов III и V групп Периодической системы Менделеева). Улучшение свойств приборов шло главным образом по пути совершенствования методов формирования p–n -переходов и использования новых материалов. Замена германия кремнием позволила поднять рабочую температуру приборов и создать высоковольтные диоды и тиристоры. Успехи в технологии получения арсенида галлия и других оптических полупроводников привели к созданию полупроводниковых лазеров, высокоэффективных источников света и фотоэлементов. Комбинации диодов и транзисторов на одной монокристаллической кремниевой подложке стали основой интегральных схем, на которых базировалось развитие электронно-вычислительной техники. Миниатюрные, а затем и микроэлектронные приборы, создаваемые в основном на кристаллическом кремнии, буквально смели электровакуумные лампы, позволив уменьшить в сотни и тысячи раз размеры устройств. Достаточно вспомнить старые ЭВМ, занимавшие огромные помещения, и их современный эквивалент ноутбук – компьютер, напоминающий маленький атташе-кейс, или «дипломат», как его называют в России.

Но предприимчивый, живой ум Ж.И.Алфёрова искал свой путь в науке. И он был найден, несмотря на крайне тяжёлую жизненную ситуацию. После молниеносной первой женитьбы ему пришлось так же молниеносно развестись, потеряв квартиру. В результате скандалов, устроенных свирепой тёщей в парткоме института, Жорес поселился в полу-подвальной комнате старого физтеховского дома.

Один из выводов кандидатской диссертации гласил, что p–n -переход в гомогенном по составу полупроводнике (гомоструктура ) не может обеспечить оптимальные параметры многих приборов. Стало ясно, что дальнейший прогресс связан с созданием p–n -перехода на границе разных по химическому составу полупроводников (гетероструктурах ).

В связи с этим сразу после появления первой работы, в которой была описана работа полупроводникового лазера на гомоструктуре в арсениде галлия, Ж.И.Алфёров выдвинул идею использования гетероструктур. Поданная заявка на выдачу авторского свидетельства на это изобретение по законам того времени была засекречена. Лишь после публикации аналогичной идеи Г.Крёмером в США гриф секретности был снижен до уровня «для служебного пользования», но авторское свидетельство было опубликовано лишь много лет спустя.

Лазеры на гомопереходах были неэффективны из-за высоких оптических и электрических потерь. Пороговые токи были очень высоки, а генерация осуществлялась только при низких температурах. В своей статье Г.Крёмер предложил использовать двойные гетероструктуры для пространственного ограничения носителей в активной области. Он предположил, что «с помощью пары гетеропереходных инжекторов лазерная генерация может быть осуществлена во многих непрямозонных полупроводниках и улучшена в прямозонных». В авторском свидетельстве Ж.И.Алфёрова также отмечалась возможность получения высокой плотности инжектированных носителей и инверсной заселённости с помощью «двойной» инжекции. Указывалось, что лазеры на гомопереходах могут обеспечить «непрерывный режим генерации при высоких температурах», к тому же возможно «увеличение излучающей поверхности и использование новых материалов для получения излучения в различных областях спектра».

Первоначально теория развивалась существенно быстрее, чем практическая реализация устройств. В 1966 г. Ж.И.Алфёров сформулировал общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктурах. Чтобы избежать засекречивания, в названии статьи были упомянуты лишь выпрямители, хотя эти же принципы были применимы и к полупроводниковым лазерам. Он предсказал, что плотность инжектированных носителей может быть на много порядков выше (эффект «суперинжекции»).

Идея использования гетероперехода была выдвинута на заре развития электроники. Уже в первом патенте, связанном с транзисторами на p–n -переходе, В.Шокли предложил для получения односторонней инжекции использовать широкозонный эмиттер. Важные теоретические результаты на ранней стадии исследования гетероструктур были получены Г.Крёмером, который ввёл понятия квазиэлектрических и квазимагнитных полей в плавном гетеропереходе и предположил чрезвычайно высокую эффективность инжекции гетеропереходов по сравнению с гомопереходами. Тогда же появились различные предложения по использованию гетеропереходов в солнечных батареях.

Итак, реализация гетероперехода открывала возможность создания более эффективных приборов для электроники и уменьшения размеров устройств буквально до атомных масштабов. Однако заниматься гетеропереходами Ж.И.Алфёрова отговаривали многие, в том числе и В.М.Тучкевич, неоднократно вспоминавший впоследствии об этом в речах и тостах, подчёркивая смелость Жореса Ивановича и дар предвидеть пути развития пауки. В то время существовал всеобщий скептицизм по поводу создания «идеального» гетероперехода, тем более с теоретически предсказываемыми инжекционными свойствами. И в пионерских работа Р.Л.Андерсена по исследованию эпитаксиального ( [таксис] означает расположение в порядке, построение ) перехода Ge–GaAs с совпадающими постоянными кристаллической решётки отсутствовали доказательства инжекции неравновесных носителей в гетероструктурах.

Максимальный эффект ожидался при использовании гетеропереходов между полупроводником, служащим активной областью прибора, и более широкозонным полупроводником. В качестве наиболее перспективных в то время рассматривались системы GaP–GaAs и AlAs–GaAs. Для «совместимости» эти материалы в первую очередь должны были удовлетворять самому важному условию: иметь близкие значения постоянной кристаллической решётки.

Дело в том, что многочисленные попытки реализовать гетеропереход были безуспешными: ведь не только размеры элементарных ячеек кристаллических решёток полупроводников, составляющих переход, должны практически совпадать, но и их тепловые, электрические, кристаллохимические свойства должны быть близкими, как и их кристаллические и зонные структуры.

Такую гетеропару найти не удавалось. И вот за это, казалось бы, безнадёжное дело взялся Ж.И.Алфёров. Нужный гетеропереход, как оказалось, можно было формировать путём эпитаксиального выращивания, когда один монокристалл (вернее, его монокристаллическая плёнка) наращивался на поверхности другого монористалла буквально послойно – один монокристаллический слой за другим. К нашему времени разработано много методов такого выращивания. Это и есть те самые высокие технологии, которые обеспечивают не только процветание электронных фирм, но и безбедное существование целых стран.

Б.П.Захарченя вспоминал, что маленькая рабочая комната Ж.И.Алфёрова вся была завалена рулонами миллиметровой бумаги, на которой неутомимый Жорес Иванович с утра до вечера чертил диаграммы состав–свойство многофазных полупроводниковых соединений в поисках сопрягающихся кристаллических решёток. Для идеального гетероперехода подходили арсенид галлия (GaAs) и арсенид алюминия (AlAs), но последний мгновенно окислялся на воздухе, и о его использовании, казалось, не могло быть и речи. Однако природа щедра на неожиданные подарки, нужно лишь подобрать ключи к её кладовым, а не заниматься грубым взломом, к которому призывал лозунг «Мы не можем ждать милостей от природы, взять их у неё – наша задача». Такие ключи уже были подобраны замечательным специалистом по химии полупроводников, физтеховской сотрудницей Ниной Александровной Горюновой, подарившей миру знаменитые соединения A III B V . Занималась она и более сложными тройными соединениями. Жорес Иванович всегда с огромным пиететом относился к таланту Нины Александровны и сразу понял её выдающуюся роль в науке.

Первоначально была предпринята попытка создать двойную гетероструктуру GaP 0,15 As 0,85 –GaAs. И она была выращена методом газофазной эпитаксии, а на ней был сформирован лазер. Однако из-за небольшого несоответствия постоянных решётки он, как и лазеры на гомопереходах, мог работать только при температуре жидкого азота. Ж.И.Алфёрову стало ясно, что таким путём реализовать потенциальные преимущества двойных гетероструктур не удастся.

Непосредственно с Жоресом Ивановичем работал один из учеников Горюновой, Дмитрий Третьяков, талантливый учёный с богемной душой в её неповторимой российской версии. Автор сотен работ, воспитавший многих кандидатов и докторов наук, лауреат Ленинской премии – высшего в то время знака признания творческих заслуг, – не защищал никакой диссертации. Он сообщил Жоресу Ивановичу, что неустойчивый сам по себе арсенид алюминия абсолютно устойчив в тройном соединении AlGaAs, так называемом твёрдом растворе . Свидетельством этому были давно выращенные путём охлаждения из расплава Александром Борщевским, тоже учеником Н.А.Горюновой, кристаллы этого твёрдого раствора, хранившиеся у него в столе уже несколько лет. Примерно так в 1967 г. была найдена ставшая теперь классической в мире микроэлектроники гетеропара GaAs–AlGaAs.

Изучение фазовых диаграмм, кинетики роста в этой системе, а также создание модифицированного метода жидкофазной эпитаксии, пригодного для выращивания гетероструктур, вскоре привели к созданию гетероструктуры, согласованной по параметру кристаллической решётки. Ж.И.Алфёров вспоминал: «Когда мы опубликовали первую работу на эту тему, мы были счастливы считать себя первыми, кто обнаружил уникальную, фактически идеальную, решёточно-согласованную систему для GaAs». Однако почти одновременно (с отставанием на месяц!) и независимо гетероструктура Al x Ga 1–x As–GaAs была получена в США сотрудниками фирмы IBM .

С этого момента реализация главных преимуществ гетероструктур пошла стремительно. Прежде всего экспериментально были подтверждены уникальные инжекционные свойства широкозонных эмиттеров и эффект суперинжекции, продемонстрировано стимулированное излучение в двойных гетероструктурах, установлена зонная структура гетероперехода Al x Ga 1–x As, тщательно изучены люминесцентные свойства и диффузия носителей в плавном гетеропереходе, а также чрезвычайно интересные особенности протекания тока через гетеропереход, например, диагональные туннельно-рекомбинационные переходы непосредственно между дырками из узкозонной и электронами из широкозонной составляющих гетероперехода.

В то же время основные преимущества гетероструктур были реализованы группой Ж.И.Алфёрова:

– в низкопороговых лазерах на двойных гетероструктурах, работающих при комнатной температуре;

– в высокоэффективных светодиодах на одинарной и двойной гетероструктурах;

– в солнечных элементах на гетероструктурах;

– в биполярных транзисторах на гетероструктурах;

– в тиристорных p–n–p–n гетероструктурах.

Если возможность управления типом проводимости полупроводника с помощью легирования различными примесями и идея инжекции неравновесных носителей заряда были теми семенами, из которых выросла полупроводниковая электроника, то гетероструктуры давали возможность решить значительно более общую проблему управления фундаментальными параметрами полупроводниковых кристаллов и приборов, такими, как ширина запрещённой зоны, эффективные массы носителей заряда и их подвижности, показатель преломления, электронный энергетический спектр и т.д.

Идея полупроводниковых лазеров на p–n -переходе, экспериментальное наблюдение эффективной излучательной рекомбинации в p–n -структуре на основе GaAs с возможностью стимулированного излучения и создание лазеров и светоизлучающих диодов на p–n -переходах были теми зёрнами, из которых начала расти полупроводниковая оптоэлектроника.

В 1967 г. Жорес Иванович был избран заведующим сектором ФТИ. Тогда же он впервые побывал в короткой научной командировке в Англии, где обсуждались лишь теоретические аспекты физики гетероструктур, поскольку английские коллеги считали экспериментальные исследования неперспективными. Хотя в великолепно оборудованных лабораториях имелись все возможности для экспериментальных исследований, англичане даже не задумывались о том, что они могут сделать. Жорес Иванович со спокойной совестью тратил время для ознакомления с архитектурными и художественниками памятниками в Лондоне. Нельзя было вернуться и без свадебных подарков, поэтому пришлось посетить «музеи материальной культуры» – роскошные по сравнению с советскими западные магазины.

Невестой была Тамара Дарская, дочь актёра Воронежского театра музыкальной комедии Георгия Дарского. Она работала в Химках под Москвой в космической фирме академика В.П.Глушко. Свадьба состоялась в ресторане «Крыша» в гостинице «Европейская» – в то время это было вполне по карману кандидату наук. Семейный бюджет позволял и еженедельные полёты по маршруту Ленинград–Москва и обратно (даже студент на стипендию мог раз-другой в месяц слетать на самолёте Ту-104, поскольку билет стоил всего 11 рублей при тогдашнем официальном курсе 65 копеек за доллар). Через полгода супруги всё-таки решили, что Тамаре Георгиевне лучше переехать в Ленинград.

И уже в 1968 г. на одном из этажей «полимерного» корпуса Физтеха, где в эти годы располагалась лаборатория В.М.Тучкевича, «загенерил» первый в мире гетеролазер. После этого Ж.И.Алфёров сказал Б.П.Захарчене: «Боря, я гетеропереходирую всю полупроводниковую микроэлектронику!» В 1968–1969 гг. группой Ж.И.Алфёрова были практически реализованы все основные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы GaAs–AlAs и показаны преимущества гетероструктур в полупроводниковых приборах (лазерах, светодиодах, солнечных батареях и транзисторах). Важнейшим было, конечно, создание низкопороговых, работающих при комнатной температуре лазеров на двойной гетероструктуре, предложенной Ж.И.Алфёровым ещё в 1963 г. Американские конкуренты (М.Б.Паниш и И.Хаяши из Bell Telephone , Г.Крессель из RCA ), знавшие о потенциальных преимуществах двойных гетероструктур, не отважились на их реализацию и использовали в лазерах гомоструктуры. С 1968 г. реально началось очень жёсткое соревнование, прежде всего с тремя лабораториями известных американских фирм: Bell Telephone , IBM и RCA .

Доклад Ж.И.Алфёрова на Международной конференции по люминесценции в Ньюарке (США) в августе 1969 г., в котором приводились параметры низкопороговых, работающих при комнатной температуре лазеров на двойных гетероструктурах, произвёл на американских коллег впечатление разорвавшейся бомбы. Профессор Я.Панков из RCA, только что, за полчаса до доклада, сообщивший Жоресу Ивановичу, что, к сожалению, для его визита на фирму нет разрешения, сразу после доклада обнаружил, что оно получено. Ж.И.Алфёров не отказал себе в удовольствии ответить, что теперь у него нет времени, поскольку IBM и Bell Telephone уже пригласили посетить их лаборатории ещё до доклада. После этого, как писал И.Хаяши, в Bell Telephone удвоили усилия по разработке лазеров на двойных гетероструктурах.

Семинар в Bell Telephone , осмотр лабораторий и дискуссия (а американские коллеги явно не скрывали, в расчёте на взаимность, технологические детали, конструкции и приспособления) довольно чётко показали достоинства и недочёты разработок ЛФТИ. Наступившее вскоре соперничество за достижение непрерывного режима работы лазеров при комнатной температуре было редким в то время примером открытого соревнования лабораторий из двух антагонистических великих держав. Ж.И.Алфёров с сотрудниками выиграли это соревнование, опередив на месяц группу М.Паниша из Bell Telephone !

В 1970 г. Ж.И.Алфёров и его сотрудники Ефим Портной, Дмитрий Третьяков, Дмитрий Гарбузов, Вячеслав Андреев, Владимир Корольков создали первый полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Независимо о непрерывном режиме лазерной генерации в лазерах на двойных гетероструктурах (с алмазным теплоотводом) Ицуо Хаяши и Мортон Паниш сообщили в статье, направленной в печать лишь на месяц позже. Непрерывный режим лазерной генерации в Физтехе был реализован в лазерах с полосковой геометрией, для создания которых использовалась фотолитография, при этом лазеры устанавливались на медных теплоотводах, покрытых серебром. Самая низкая плотность порогового тока при комнатной температуре составляла 940 А/см 2 для широких лазеров и 2,7 кА/см 2 для полосковых. Реализация такого режима генерации вызвала взрыв интереса. В начале 1971 г. многие университеты и промышленные лаборатории в США, СССР, Великобритании, Японии, Бразилии и Польше начали исследование гетероструктур и приборов на их основе.

Большой вклад в понимание электронных процессов в гетеролазерах внёс теоретик Рудольф Казаринов. Время генерации первого лазера было коротким. Жорес Иванович признавался, что его хватило ровно на столько, чтобы измерить параметры, необходимые для статьи. Продление срока службы лазеров было делом довольно трудным, но оно было успешно решено усилиями физиков и технологов. Теперь обладатели плееров с компакт-дисками в большинстве своём не подозревают, что звуковая и видеоинформация считывается полупроводниковым гетеролазером. Такие лазеры используются во многих оптоэлектронных устройствах, но в первую очередь – в устройствах волоконно-оптической связи и различных телекоммуникационных систем. Нашу жизнь трудно представить без гетероструктурных светодиодов и биполярных транзисторов, без малошумящих транзисторов с высокой подвижностью электронов для высокочастотных применений, включая, в частности, системы спутникового телевидения. Вслед за лазером на гетеропереходах были созданы многие другие приборы, вплоть до преобразователей солнечной энергии.

Значение получения непрерывного режима работы лазеров на двойных гетеропереходах при комнатной температуре прежде всего связано с тем, что в это же время было создано оптическое волокно с малыми потерями. Это привело к рождению и бурному развитию волоконно-оптических систем связи. В 1971 г. эти работы были отмечены присуждением Ж.И.Алфёрову первой международной награды – золотой медали Баллантайна Франклиновского института в США. Особая ценность этой медали, как отмечал Жорес Иванович, заключается в том, что Франклиновский институт в Филадельфии присуждал медали и другим советским учёным: в 1944 г. академику П.Л.Капице, в 1974 г. академику Н.Н.Боголюбову, а в 1981 г. академику А.Д.Сахарову. Попасть в такую компанию – большая честь.

Присуждение Жоресу Ивановичу медали Баллантайна имеет предысторию, связанную с его другом. Одним из первых физтеховцев в 1963 г. в США попал Б.П.Захарченя. Он облетел почти всю Америку, встретился с такими светилами, как Ричард Фейнман, Карл Андерсон, Лео Сциллард, Джон Бардин, Уильям Фэрбэнк, Артур Шавлов. В Иллинойсском университете Б.П.Захарченя познакомился с Ником Холоньяком, создателем первого эффективного светодиода на арсениде-фосфиде галлия, излучающего свет в видимой области спектра. Ник Холоньяк – один из крупнейших американских учёных, ученик Джона Бардина, единственного в мире дважды лауреата Нобелевской премии по одной специальности (физике). Недавно он получил премию как один из основателей нового направления в науке и технике – оптоэлектроники.

Ник Холоньяк родился в США, куда ещё до Октябрьской революции эмигрировал из Галиции его отец, простой шахтёр. Он блистательно окончил Иллинойсский университет, и его имя золотой прописью занесено на специальную «Доску почёта» этого университета. Б.П.Захарченя вспоминал: «Белоснежная рубашка, галстук-бабочка, короткая стрижка по моде 60-х годов и, наконец, спортивная фигура (он поднимал штангу) делали его типичным американцем. Это впечатление ещё более укреплялось, когда Ник говорил на своём родном американском языке. Но вдруг он переходил на язык своего отца, и от американского джентльмена ничего не оставалось. Это был не русский язык, но удивительная смесь русского с русинским (близким к украинскому), сдобренная солёными шахтёрскими шуточками и крепкими крестьянскими выражениями, усвоенными от родителей. При этом профессор Холоньяк очень заразительно смеялся, на глазах превращаясь в озорного русинского парня».

В том далёком 1963 г., показывая Б.П.Захарчене под микроскопом миниатюрный светодиод, ярко сиявший зелёным, профессор Холоньяк говорил: «Подивись, Борис, на мое свитло. Нэкс тайм скажи там у вашем институте, может, кто захоче приихати сюда до Иллинойссу из ваших хлопцев. Я буду учить его робыть таки свитла».

Слева направо: Ж.И.Алфёров, Джон Бардин, В.М.Тучкевич, Ник Холоньяк (Иллинойсский университет, Урбана, 1974 г.)

Через семь лет в лабораторию к Нику Холоньяку приехал Жорес Алфёров (будучи уже знакомым с ним, – в 1967 г. Холоньяк посещал лабораторию Алфёрова в физтехе). Жорес Иванович не был тем «хлопцем», которому нужно учиться «робытъ свитла». Сам мог научить. Его приезд был очень удачным: Франклиновский институт в это время как раз присуждал очередную медаль Баллантайна за лучшие работы по физике. Лазеры были в моде, а новый гетеролазер, сулящий огромные практические перспективы, привлёк особое внимание. Конкуренты были, но публикации группы Алфёрова были первыми. Поддержка работ советских физиков такими авторитетами, как Джон Бардин и Ник Холоньяк, наверняка повлияла на решение комиссии. Очень важно в любом деле оказаться в нужном месте и в нужное время. Не окажись тогда Жорес Иванович в Штатах, не исключено, что эта медаль досталась бы конкурентам, хотя первым-то был он. Известно, что «чины людьми даются, а люди могут обмануться». В эту историю было вовлечено много американских учёных, для которых доклады Алфёрова о первом лазере на двойной гетероструктуре были полной неожиданностью.

Алфёров и Холоньяк стали близкими друзьями. В процессе разнообразных контактов (визиты, письма, семинары, телефонные разговоры), играющих важную роль в работе и жизни каждого, они регулярно обсуждают проблемы физики полупроводников и электроники, а также жизненные аспекты.

Практически казавшаяся счастливым исключением гетероструктура Al x Ga 1–x As была в дальнейшем бесконечно расширена многокомпонентными твёрдыми растворами – сначала теоретически, затем экспериментально (самый яркий пример – InGaAsP).

Космическая станция «Мир» с солнечными батареями на основе гетероструктур

Одним из первых опытов успешного применения гетероструктур в нашей стране стало использование солнечных батарей в космических исследованиях. Солнечные батареи на основе гетероструктур были созданы Ж.И.Алфёровым и сотрудниками ещё в 1970 г. Технология была передана в НПО «Квант», и солнечные элементы на основе GaAlAs устанавливались на многих отечественных спутниках. Когда американцы опубликовали свои первые работы, советские солнечные батареи уже летали на спутниках. Было развёрнуто их промышленное производство, а их 15-летняя эксплуатация на станции «Мир» блестяще доказала преимущества этих структур в космосе. И хотя прогноз резкого снижения стоимости одного ватта электрической мощности на основе полупроводниковых солнечных батарей пока не оправдался, в космосе самым эффективным источником энергии доныне безусловно являются солнечные батареи на гетероструктуpax соединений A III B V .

Препятствий на пути Жореса Алфёрова хватало. Как водится, нашим спецслужбам 70-х гг. не нравились его многочисленные заграничные премии, и его пытались не пускать за границу на международные научные конференции. Появились завистники, пытавшиеся перехватить дело и оттереть Жореса Ивановича от славы и средств, необходимых для продолжения и совершенствования эксперимента. Но его предприимчивость, молниеносная реакция и ясный ум помогали преодолевать все эти препятствия. Сопутствовала и «госпожа Удача».

1972 г. был особенно счастливым. Ж.И.Алфёрову и его ученикам-коллегам В.М.Андрееву, Д.З.Гарбузову, В.И.Королькову и Д.Н.Третьякову была присуждена Ленинская премия. К сожалению, в силу сугубо формальных обстоятельств и министерских игр этой вполне заслуженной награды были лишены Р.Ф.Казаринов и Е.Л.Портной. В том же году Ж.И.Алфёров был избран в Академию наук СССР.

В день присуждения Ленинской премии Ж.И.Алфёров был в Москве и позвонил домой, чтобы сообщить об этом радостном событии, но телефон не отвечал. Он позвонил родителям (с 1963 г. они жили в Ленинграде) и радостно сообщил отцу, что его сын – лауреат Ленинской премии, а в ответ услышал: «Что твоя Ленинская премия? У нас внук родился!» Рождение Вани Алфёрова было, безусловно, самой большой радостью 1972 г.

Дальнейшее развитие полупроводниковых лазеров было связано также с созданием лазера с распределённой обратной связью, предложенного Ж.И.Алфёровым в 1971 г. и реализованного несколько лет спустя в ФТИ.

Идея стимулированного излучения в сверхрешётках, высказанная в это же время Р.Ф.Казариновым и Р.А.Сурисом, была реализована четверть века спустя в Bell Telephone . Исследования сверхрешёток, начатые Ж.И.Алфёровым и соавторами в 1970 г., к сожалению, бурно развивались только на Западе. Работы по квантовым ямам и короткопериодным сверхрешёткам в короткое время привели к рождению новой области квантовой физики твёрдого тела – физике низкоразмерных электронных систем. Апогеем этих работ в настоящее время являются исследования нуль-мерных структур – квантовых точек. Получили широкое признание работы в этом направлении, проводимые учениками Ж.И.Алфёрова уже второго и третьего поколений: П.С.Копьёвым, Н.Н.Леденцовым, В.М.Устиновым, С.В.Ивановым. Н.Н.Леденцов стал самым молодым членом-корреспондентом Российской академии наук.

Полупроводниковыми гетероструктурами, в особенности двойными, включая квантовые ямы, проволоки и точки, сейчас занимаются две трети исследовательских групп, работающих в области физики полупроводников.

В 1987 г. Ж.И.Алфёров был избран директором ФТИ, в 1989 г. – председателем президиума Ленинградского научного центра АН СССР, а в апреле 1990 г. – вице-президентом Академии наук СССР. Впоследствии на эти посты он был переизбран уже в Российской академии наук.

Главным для Ж.И.Алфёрова в последние годы было сохранение Академии наук как высшей и уникальной научной и образовательной структуры России. Её хотели уничтожить в 20-е гг. как «наследие тоталитарного царского режима», а в 90-е гг. – как «наследие тоталитарного советского режима». Для её сохранения Ж.И.Алфёров согласился пойти депутатом в Государственную думу последних трёх созывов. Он писал: «Ради этого великого дела мы шли иногда на компромиссы с властью, но не с совестью. Всё, что создало человечество, оно создало благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или в президента, а благодаря труду её народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования». Телевизионные трансляции заседаний Государственной думы неоднократно свидетельствовали о недюжинном общественно-политическом темпераменте и горячей заинтересованности Ж.И.Алфёрова в процветании страны в целом и науки в частности.

Среди других научных наград Ж.И.Алфёрова отметим Хьюлет-Паккардовскую премию Европейского физического общества, Государственную премию СССР, медаль Велькера; премию Карпинского, учреждённую в ФРГ. Ж.И.Алфёров – действительный член Российской академии наук, иностранный член Национальной инженерной академии и Академии наук США, член многих других зарубежных академий.

Будучи вице-президентом Академии наук и депутатом Государственной думы, Ж.И.Алфёров не забывает, что как учёный он вырос в стенах знаменитого Физико-технического института, основанного в Петрограде в 1918 г. выдающимся российским физиком и организатором науки Абрамом Фёдоровичем Иоффе. Этот институт дал физической науке яркое созвездие всемирно известных учёных. Именно в Физтехе Н.Н.Семёновым были проведены исследования цепных реакций, удостоенные впоследствии Нобелевской премии. Здесь работали выдающиеся физики И.В.Курчатов, А.П.Александров, Ю.Б.Харитон и Б.П.Константинов, вклад которых в решение атомной проблемы в нашей стране невозможно переоценить. В Физтехе начинали свою научную деятельность талантливейшие экспериментаторы – нобелевский лауреат П.Л.Капица и Г.В.Курдюмов, физики-теоретики редчайшего дарования – Г.А.Годов, Я.Б.Зельдович и нобелевский лауреат Л.Д.Ландау. Название института всегда будет ассоциироваться с именами одного из основателей современной теории конденсированного состояния Я.И.Френкеля, блестящих экспериментаторов Е.Ф.Гросса и В.М.Тучкевича (на протяжении многих лет возглавлявшего институт).

Ж.И.Алфёров по мере сил содействует развитию Физтеха. При ФТИ была открыта Физико-техническая школа и продолжен процесс создания на базе института специализированных учебных кафедр. (Первая кафедра такого рода – кафедра оптоэлектроники – была создана в ЛЭТИ ещё в 1973 г.) На основе уже существующей и вновь организованных базовых кафедр в Политехническом институте в 1988 г. был создан физико-технический факультет. Развитие академической системы образования в Санкт-Петербурге выразилось в создании медицинского факультета в Университете и комплексного Научно-образовательного центра ФТИ, объединившего школьников, студентов и учёных в одном прекрасном здании, которое можно с полным правом назвать Дворцом знаний. Используя возможности Государственной думы для широкого общения с влиятельными людьми, Ж.И.Алфёров «выбивал» деньги на создание Научно-образовательного центра из каждого премьер-министра (а они так часто меняются). Первый, наиболее существенный взнос сделал В.С.Черномырдин. Теперь огромное здание этого центра, построенного турецкими рабочими, красуется недалеко от Физтеха, наглядно показывая, на что способен предприимчивый человек, одержимый благородной идеей.

С детства Жорес Иванович приучен к выступлениям перед широкой аудиторией. Б.П.Захарченя вспоминает его рассказы о шумном успехе, который он снискал, читая с эстрады чуть ли не в дошкольном возрасте рассказ М.Зощенко «Аристократка»: «Я, братцы мои, не люблю баб, которые в шляпках. Ежели баба в шляпке, ежели чулочки на ней фильдекосовые...»

Десятилетним мальчиком Жорес Алфёров прочитал замечательную книгу Вениамина Каверина «Два капитана» и всю последующую жизнь следует принципу её главного героя Сани Григорьева: «Бороться и искать, найти и не сдаваться!»

Кто он – «вольный» или «свободный»?

Шведский король вручает Ж.И.Алфёрову Нобелевскую премию

Составил
В.В.РАНДОШКИН

по материалам:

Алфёров Ж.И. Физика и жизнь. – СПб.: Наука, 2000.

Алфёров Ж.И. Двойные гетероструктуры: Концепция и применения в физике, электронике и технологии. – Успехи физических наук, 2002, т. 172, № 9.

Наука и человечество. Международный ежегодник. – М., 1976.

15 марта исполняется 80 лет Жоресу Алферову, вице-президенту Российской академии наук, лауреату Нобелевской премии по физике.

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 г . в Витебске (Белоруссия).

В 1952 г. окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) (в настоящее время - Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ).

С 1953 г. Жорес Алферов работает в Физико-Техническом Институте имени А. Ф. Иоффе, с 1987 г. - в качестве директора.

Принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов.

В 1970 г. Жорес Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 г. Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

С начала 1990-х гг. Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 г. по май 2003 г. - директор СПбГЭТУ, с мая 2003 г. по июль 2006 г. - научный руководитель.

Исследования Жореса Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».

В лаборатории Алферова была разработана промышленная технология создания полупроводников на гетероструктурах. Первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 г. на космической станции "Мир": батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 г. без заметного снижения мощности.

Жорес Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 г. он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, с 1988 г. - декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 г. он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 г. - ее действительным членом, в 1990 г. - вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники. Он автор более 500 научных работ, в том числе трех монографий и более 50 изобретений.

С 1989 г. по 1992 г. Жорес Алферов был народным депутатом СССР, с 1995 г. - депутат Государственной Думы второго, третьего, четвертого и пятого созывов (фракция КПРФ).

В 2002 г. Алферов стал инициатором учреждения премии «Глобальная энергия» (учередители ОАО "Газпром", РАО "ЕЭС России", НК "ЮКОС" и ОАО «Сургутнефтегаз»). До 2006 г. возглавлял Международный комитет по присуждению премии «Глобальная энергия».

С 2003 г. Жорес Алферов - председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.

Алферов - почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий.

Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).

В 2000 г. Алферов получил Нобелевскую премию по физике "за достижения в электронике" совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером. Кремер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Кремер получили половину денежной премии), а Килби - за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).

В 2002 г. за работу "Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе" Жорес Алферов и команда ученых, работающих вместе с ним, были удостоены Государственной премии.

Жорес Алферов награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, Знаком Почета "3a заслуги перед Отечеством" III и II степени, медалями СССР и Российской Федерации.

В феврале 2001 г. Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алферовым из средств Нобелевской премии.

Материал подготовлен на основе информации открытых источников

Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Ж.И. АЛФЕРОВ: СТУДЕНТ, ПРОФЕССОР - НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ

10 октября 2000 г. Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Студент Жорес Алферов учился на факультете электронной техники и закончил его в 1952 г., получив диплом с отличием. Годы учебы Ж.И. Алферова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС - одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

Еще в студенческие годы Ж.И. Алферов начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, и за него он получил первую в своей жизни научную премию - поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.

После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт и стал работать в лаборатории В.М. Тучкевича. Здесь при участии Ж.И. Алферова были разработаны первые советские транзисторы.

В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Ж.И. Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений -«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах -позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Своими открытиями Ж.И. Алферов заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Ж.И. Алферова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и многое другое.

Под научным руководством Ж.И. Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.

Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах. Светодиоды белого света благодаря своей высокой надежности и эффективности рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией электроэнергии.

К числу научных направлений, которые активно развивает Ж.И. Алферов, относится разработка лазеров на основе квантовых точек. Использование массивов таких квантовых точек позволяет снизить электропотребление лазеров, а также повысить стабильность их характеристик при увеличении температуры. Первый в мире лазер на квантовых точках создан группой ученых, работающих под руководством Ж.И. Алферова. Характеристики этих приборов постоянно улучшаются, и сегодня они по многим показателям превосходят все типы полупроводниковых лазеров.

Академик Ж.И. Алферов прекрасно понимает, что наука и образование неразделимы. Поэтому он целенаправленно формирует систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.

В 1973 г. академик Ж.И. Алферов, используя непрекращающуюся тесную связь с ЛЭТИ, создает и возглавляет на своем родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой становятся известные ученые. Система подготовки научных кадров на базовой кафедре дала прекрасные результаты. Когда в 2003 г. отмечалось тридцатилетие кафедры, то были приведены следующие данные. За 30 лет кафедра выпустила около шестисот высококвалифицированных специалистов, подавляющее большинство которых стало работать в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Более четырехсот человек защитили кандидатские диссертации, свыше тридцати - докторские, а Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и А.Е. Жуков стали членами-корреспондентами РАН.

Организация кафедры оптоэлектроники явилась началом деятельности Ж.И. Алферова по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создает физико-технический лицей, в 1988 г. — организует физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, деканом которого он является. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет -научно-образовательный центр нанотехнологий РАН. Входящие в него подразделения размещены в прекрасных зданиях, построенных благодаря усилиям Ж.И. Алферова.

Академик Ж.И. Алферов делает все от него зависящее, чтобы поддержать международный авторитет российской науки. По его предложению президент Российской Федерации своим указом установил международную премию «Глобальная энергия», которая ежегодно присуждается троим российским и иностранным ученым, внесшим выдающийся вклад в развитие энергетики.

По инициативе и под председательством Ж.И. Алферова проводится Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество». В рамках этого форума первая встреча Нобелевских лауреатов «Наука и прогресс человечества» состоялась в год трехсотлетия Санкт-Петербурга. В ней приняли участие 20 Нобелевских лауреатов в области физики, химии, физиологии и медицины, экономики. Начиная с 2008 г. встречи Нобелевских лауреатов стали ежегодными. Форум 2008 г. был посвящен нанотехнологиям. Форум 2009 г. Темой форума были информационные технологии. Тема форума 2010 г. - экономика и социология в XXI веке.

Академик Ж.И. Алферов - крупнейший советский российский ученый, автор более 500 научных трудов, свыше 50 изобретений. Его работы получили мировое признание, вошли в учебники. Труды Ж.И. Алферова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными премиями СССР и России, премией им. А.П. Карпинского (ФРГ), Демидовской премией, премией им. А.Ф. Иоффе и золотой медалью А.С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями СССР, России и зарубежных стран.

Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.

Все эти награды и звания заслуженно увенчали труд не только исследователя, но и организатора науки. Пятнадцать лет Ж.И. Алферов возглавлял прославленный Физико-технический институт А.Ф. Иоффе РАН. Вот уже более двадцати лет Жорес Иванович бессменный председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, главной задачей которого является координация научной деятельности всех петербургских академических институтов. Ж.И. Алферов - вице-президент РАН.

Профессор Быстров Ю.А.

Алферов, Жорес

Депутат Госдумы РФ, вице-президент РАН, лауреат Нобелевской премии

Действительный член Российской академии наук, вице-президент РАН, ректор Санкт-Петербургского Академического университета РАН. Специалист в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, лауреат Нобелевской премии по физике за 2000 год. Депутат Государственной думы РФ пяти созывов: в 1995 году был избран от движения "Наш дом - Россия", а в 1999, 2003, 2007 и 2011 годах - от КПРФ.

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в городе Витебске Белорусской ССР , . Его родители, Иван Карпович и Анна Владимировна - белорус и еврейка, сами происходили из местечка Чашники Витебской области. В 1912 году восемнадцатилетний Иван Карпович, отец Алферова, приехал в Санкт-Петербург и два года работал грузчиком в порту, разнорабочим на конвертной фабрике и рабочим на заводе "Старый Лесснер" (впоследствии - завод имени Карла Маркса). В годы Первой мировой войны отец Алферова был гусаром, унтер-офицером лейб-гвардии, дважды был награжден Георгиевским крестом. В сентябре 1917 года он вступил в РСДРП(б) и во время Гражданской войны командовал кавалерийским полком в Красной Армии, а после ее окончания перешел на хозяйственную работу. Именно Иван Алферов дал своим сыновьям "коммунистические имена", назвав старшего Марксом в честь Карла Маркса, а младшего - Жоресом в честь Жана Жореса, основателя газеты L"Humanite и лидера французской социалистической партии , , , .

Довоенные детские годы Алферова прошли в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое (городе под Ленинградом), где работал его отец после того, как в 1935 году закончил Промакадемию. Начало Великой Отечественной войны совпало с назначением отца Алферова директором завода по производству пороховой целлюлозы, расположенного на Урале - в городе Туринске Свердловской области. Там в годы войны Алферов учился в местной школе, а летом работал на заводе. Старший брат Алферова сначала поступил на энергетический факультет Уральского индустриального института, но уже через несколько недель ушел на фронт. В 1944 году 20-летний гвардии младший лейтенант Маркс Алферов погиб в ходе Корсунь-Шевченковской операции , .

В 1950 году третьекурсник Алферов, специализировавшийся на электровакуумной технике, стал работать в вакуумной лаборатории профессора Б.П. Козырева. Его научным руководителем стала Наталия Николаевна Созина - специалист по полупроводниковым фотоприемникам в инфракрасной области спектра, благодаря которой он занялся экспериментальным исследованием полупроводников. Под руководством Созиной Алферов выполнил дипломную работу, посвященную получению пленок и исследованию фотопроводимости теллурида висмута (BiTe), но в декабре 1952 года во время распределения студентов своей кафедре в ЛЭТИ он предпочел Ленинградский физико-технический институт (ЛФТИ). Физтехом более тридцати лет руководил его основатель Абрам Федорович Иоффе, чья монография "Основные представления современной физики" была настольной книгой для Алферова , , , . Позже Алферов узнал, что за два месяца до его распределения Иоффе ушел из Физтеха и возглавил самостоятельную лабораторию физико-математических наук АН СССР, которая в 1954 году была преобразована в Институт полупроводников АН СССР (ИПАН), куда вместе с ним ушла почти вся "полупроводниковая" элита советских ученых .

В ЛФТИ Алферов стал младшим научным сотрудником в лаборатории В.М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В конце 1940-х годов американские ученые создали первый точечный транзистор и транзистор с p-n-переходами, фактически лишь продемонстрировав возможность использования транзисторного эффекта. В ноябре 1952 года американцы опубликовали сообщение о способе, который годился для промышленного производства транзисторов, а уже 5 марта 1953 года Алферов сделал первый надежно работающий транзистор. В 1959 году за работы по заказам ВМФ СССР он получил свою первую правительственную награду - "Знак почета". В 1961 году Алферов защитил диссертацию, посвященную разработке и исследованию мощных германиевых и кремниевых выпрямителей, и получил ученую степень кандидата технических наук. При этом поданная заявка на авторское свидетельство была засекречена. Гриф секретности был снят лишь после публикации аналогичного предложения Герберта Кремера в США, а заявка Алферова была допущена к публикации еще позже , , , .

В 1963 году Алферов начал изучение полупроводниковых гетеропереходов. Гетеропереходом называется соединение двух различных по химическому составу полупроводников, полупроводниковая структура с несколькими гетеропереходами именуется гетероструктурой, а гетеропара - это соединения, на основе которых создается гетероструктура. Таким образом, гетероструктура представляет собой кристалл, в котором меняется химический состав и, соответственно, физические свойства. В природе гетероструктур не существует, поэтому их иногда называют кристаллами, сделанными человеком (man-made crystals), противопоставляя гомоструктурам - кристаллам, "созданным Богом" (God-made crystals) . В 1964 году Алферов стал старшим научным сотрудником Физтеха , .

В 1966 году Алферов сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx (электронное и оптическое ограничения и особенности инжекции). При этом для того, чтобы работа не была засекречена, в названии статьи он упомянул лишь выпрямители, но не лазеры. В 1967 году, когда ученый совет ЛФТИ избрал Алферова заведующим сектором, ему приходилось убеждать своих коллег, что в будущем полупроводниковые физика и электроника будут развиваться именно на основе гетероструктур. И уже начиная с 1968 года сотрудники Физтеха стали успешно конкурировать со своими зарубежными коллегами, прежде всего учеными из трех лабораторий крупнейших американских фирм - Bell Telephone, IBM и RCA. В 1968-1969 годах были практически реализованы все основные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы арсенид галлия - арсенид алюминия (GaAs-AlAs): односторонняя эффективная инжекция, эффект "сверхинжекции", диагональное туннелирование, электронное и оптическое ограничения в двойной гетероструктуре. Кроме того, советским физикам удалось практически реализовать основные преимущества использования гетероструктур в полупроводниковых приборах - лазерах, светодиодах, солнечных батареях, динисторах и транзисторах .

В 1970 году Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук , . По мнению экспертов, благодаря Алферову фактически был создано новое направление - физика гетероструктур, электроника и оптоэлектроника на их основе . Появлением лазерной "иголки" в проигрывателях компакт-дисков мы обязаны первому полупроводниковому лазеру, работавшему при комнатной температуре, который создали в Физтехе в том же 1970 году. Впоследствии компоненты, основанные на гетероструктурах, стали использоваться во многих современных устройствах: светодиодах и волоконно-оптических линиях связи, мобильных телефонах и солнечных батареях , , .

В 1971 году Алферов был удостоен своей первой международной награды - медали Баллантайна, учрежденной Франклиновским институтом в Филадельфии для награждения за лучшие работы в области физики и получившей название "малой Нобелевской премии". До него из советских ученых эту награду получил лишь академик Петр Капица (1944), а после - академики Николай Боголюбов (1974) и Андрей Сахаров (1981). В 1972 году Алферов стал лауреатом Ленинской премии , , . В 1979 году он был избран академиком АН СССР . В 1984 году его наградили Государственной премией СССР за разработку "изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений A3B5" , . В 1990 году Алферов стал вице-президентом АН СССР и председателем президиума Ленинградского научного центра (позже - вице-президентом РАН и председателем президиума Санкт-Петербургского научного центра) .

В 1972 году Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, открытой на факультете электронной техники Физтеха. В целом он старался возродить идею синтеза науки и образования, в частности - "союз физмеха и физтеха". Еще в 1919 году в Политехническом институте Иоффе организовал физико-механический факультет, где преподавали главным образом ведущие сотрудники Физтеха. Однако в 1955 году, в ходе очередной реформы Никиты Хрущева, факультет был закрыт. В 1987 году Алферов стал директором Физтеха, а в 1988 году - еще и деканом открытого им физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ЛПИ). В результате возникла мощная научно-образовательная база, в которую вошли кафедра оптоэлектроники ЛЭТИ, физико-технический факультет ЛПИ и физико-технический лицей, открытый Алферовым при Физтехе. Позже они разместились в одном здании Научно-образовательного центра, открытого в Санкт-Петербурге 1 сентября 1999 года , , , , , .

С начала 1990-х годов Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. В 1993-1994 годах им и его коллегами впервые в мире были созданы гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками - "искусственными атомами", а в 1995 году был продемонстрирован инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работавший в непрерывном режиме при комнатной температуре. Исследования Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, получившей название "зонная инженерия". Были разработаны технологии нового поколения квантоворазмерных лазеров на короткопериодных сверхрешетках с рекордно низкой величиной пороговой плотности тока; созданы концепции получения полупроводниковых наноструктур с размерным квантованием в двух и трех измерениях; осуществлена демонстрация уникальных физических свойств структур на основе квантовых точек, созданы на их базе инжекционные лазеры. По мнению экспертов, эти исследования, к примеру, приведут к появлению нового поколения техники, которая при своих сверхмалых размерах сможет передавать значительно большой объем информации , .

10 октября 2000 года стало известно, что Алферову будет вручена Нобелевская премия по физике. Саму премию он получил ровно через месяц, разделив ее с двумя другими физиками - Кремером и Джеком Килби. Причем Алферов и Кремер были удостоены Нобелевской премии за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники, а Килби - за основополагающий вклад в создание интегральных схем , , .

В 2001 году Алферов стал лауреатом Государственной премии РФ .

В 2001 году Алферов стал учредителем и президентом Фонда поддержки образования и науки (так называемого Алферовского фонда). В 2002 году он стал ректором-организатором Академического физико-технологического университета - первого высшего учебного заведения, входящего в систему РАН. В 2003 году Алферов покинул пост главы Физтеха, оставшись научным руководителем института , , , , . В 2005 году он стал председателем Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, причем это привело к конфликту между ФТИ и Алферовым, который, по данным "Коммерсанта" был вызван имущественными спорами между научным центром и институтом; сам Алферов факт существования каких-либо разногласий отрицал, однако в 2006 году он был уволен с поста председателя ученого совета ФТИ и вместо этого стал научным руководителем Центра физики наногетероструктур ФТИ, но в этом качестве на сайте института Алферов не упоминался. В 2007 году Алферов возглавил совет по нанотехнологиям, созданного при РАН , , , , , , , .

Долгие годы Алферов был не только академиком, но и парламентарием. В 1989 году он был избран народным депутатом СССР от АН СССР , . В декабре 1995 года Алферов был избран в Государственную Думу второго созыва от движения "Наш дом - Россия" (НДР), в списках которого он занял шестое место. Большую часть времени Алферов был членом фракции НДР, но в апреле 1999 года вошел в депутатскую группу "Народовластие". В 1999 и 2003 годах он переизбирался депутатом Госдумы третьего и четвертого созывов, проходя по партийным спискам КПРФ , в которых занимал десятое и пятое места соответственно , , , , , , . Включение в партсписок Алферова, не являвшегося членом КПРФ, эксперты объясняли, в том числе, попыткой коммунистов привлечь на свою сторону интеллигенцию, не связанную с левым движением . Во всех трех составах Государственной Думы Алферов работал в парламентском комитете по образованию и науке , , . В 2001-2005 годах Алферов возглавлял президентскую комиссию по ввозу отработавшего ядерного топлива (ОЯТ): он выступил сторонником ввоза ОЯТ на территорию России, предложив направить доходы от этого на нужды ученых , .

В начале 2007 года, вопреки первоначальной информации, список КПРФ на предстоявших выборах в Петербургское законодательное собрание возглавил не Алферов, а первый заместитель председателя партии Иван Мельников . Сам ученый произошедшие перемены объяснил своей большой занятостью в связи с реформой РАН и тем, что, будучи беспартийным, не собирается активно заниматься политикой. Некоторые эксперты предположили, что при формировании списка в руководстве КПРФ мог иметь место рецидив "совкового антисемитизма" (мать Алферова - еврейка), но было выдвинуто и более правдоподобное объяснение, согласно которому между ученым и лидером коммунистов Геннадием Зюгановым мог произойти личный конфликт .

В июле 2007 года Алферов стал одним из авторов обращения академиков РАН к президенту России Владимиру Путину . Академики выступили против "все возрастающей клерикализации российского общества": апеллируя к российской конституции, провозгласившей светский характер государства и принцип отделения церкви от системы государственного образования, они выступили против внесения специальности "теология" в перечень научных специальностей Высшей аттестационной комиссии, а также против введения нового обязательного школьного предмета - "Основы православной культуры". Документ, получивший название "обращение Гинзбурга-Алферова" (Виталий Гинзбург - один из авторов обращения, нобелевский лауреат и академик РАН), вызвал большой общественный резонанс. Вскоре с открытым письмом к руководству России в защиту преподавания в школах "Основ православной культуры" выступил Союз православных граждан. Его представители обвинили Гинзбурга в давней и пристрастной борьбе с церковью, Алферова же назвали коммунистом, чье мировоззрение несовместимо с христианским. Продолжением скандала стало обращение православно-патриотического движения "Народный собор" в прокуратуру Москвы с требованием привлечь Гинзбурга к уголовной ответственности за "разжигание межрелигиозной розни" , , .

В августе 2007 года стало известно, что по результатам предварительных голосований, проведенных в региональных отделениях КПРФ, Алферов занял второе место в первой тройке кандидатов в федеральном списке партии для участия в выборах депутатов Государственной Думы пятого созыва. Первое место досталось Зюганову, а третье - летчику-космонавту, герою Советского Союза Светлане Савицкой , . 22 сентября 2007 года съезд КПРФ утвердил окончательные списки кандидатов от партии на выборы в Госдуму. Федеральный список возглавил Зюганов, вторым и третьим в нем значились Алферов и лидер Агропромышленного союза Николай Харитонов , .

На состоявшихся 2 декабря 2007 года выборах КПРФ успешно преодолела избирательный барьер, набрав 11,57 процента голосов российских избирателей. Алферов в очередной раз стал депутатом Государственной Думы РФ , . 24 декабря 2007 года как старейший депутат нижней палаты парламента он открыл первое пленарное заседание Госдумы пятого созыва .

В январе 2008 года Алферов был назначен руководителем секцией нанотехнологий в отделении нанотехнологий и информационных технологий РАН . В 2009 году возглавляемый им Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН получил новое название, став Санкт-Петербургским академическим университетом - научно-образовательным центром нанотехнологий РАН, Алферов стал ректором университета , , .

В начале 2010 года в прессе стали активно обсуждаться планы по строительству в Московской области российского аналога Кремниевой долины - "иннограда " в Сколкове. В апреле того же года газета "Ведомости" сообщила, что российским сопредседателем научно-технического совета, отвечающего за науку в новом иннограде, станет Алферов .

В октябре 2011 года Алферов вновь был включен в общефедеральную часть списка кандидатов от КПРФ на выборах в Государственную Думу шестого созыва . По результатам голосования, состоявшегося в декабре того же года, КПРФ набрала 19,19 процента голосов российских избирателей , Алферов снова получил депутатский мандат и вошел в состав парламентской фракции коммунистов .

В июле 2012 года стало известно, что Алферов по предложению министра образования Дмитрия Ливанова возглавит Общественный совет при Минобрнауки РФ .

Алферов написал более пятисот научных работ, в том числе четыре монографии, и стал главным редактором журнала "Письма в Журнал технической физики". Он является автором более пятидесяти изобретений. Помимо уже упомянутых наград он удостоился Хьюлет-Паккардовской премии Европейского физического общества (1972), ордена Трудового Красного Знамени (1975), ордена Октябрьской Революции (1980), ордена Ленина (1986), награды Симпозиума по GaAs (1987), медали Х. Велькера (1987), премии А.П. Карпинского (ФРГ, 1989) и премии А.Ф. Иоффе (РАН, 1996), общенациональной неправительственной Демидовской премии РФ (1999), медали А.С. Попова (РАН, 1999), премии Ника Холоньяка (США, 2000), премии Киото за передовые достижения в области электроники (2001), премии В.И. Вернадского (Украина, 2001) и международной премии "Глобальная энергия" (2005), учрежденной по его инициативе в 2002 году , , , . В 2002 году Алферов получил белорусский орден Франциска Скорины, а в 2003 году - украинский орден Ярослава Мудрого , . Кроме того, он был награжден многими медалями СССР и РФ . В 1999 году Алферов получил орден "За заслуги перед Отечеством" III степени, в 2000 году - орден "За заслуги перед Отечеством" II степени , , 75-летний юбилей ученого в 2005 году был отмечен орденом "За заслуги перед Отечеством" I степени , а в 2010 году он был удостоен ордена "За заслуги перед Отечеством" IV степени .

Алферов стал почетным доктором многих университетов, а также почетным членом многих российских и иностранных академий , . Он единственный из российских ученых, кто был избран иностранным членом Академии наук США ("за гетероструктуры") и иностранным членом Национальной инженерной академии наук США ("за развитие принципов теории и технологии гетероструктур") . Алферов получил звание заслуженного энергетика РФ (1996). В 2001 году он был удостоен звания почетного гражданина города Санкт-Петербурга, в 2002 году - Минска, а в 2004 году - Сан-Кристобаля (Венесуэла). В 2001 году в честь Алферова была названа малая планета (астероид) .

Алферов женат вторым браком на Тамаре Дарской. От этого брака у Алферова есть сын Иван. Сын Алферова некоторое время занимался прикладной астрономией, а потом занялся бизнесом (по данным на 2000 год - торговлей техникой для лесопромышленных компаний). Также известно, что у Алферова есть дочь от первого брака, с которой он не поддерживает отношений, и приемная дочь Ирина - дочь второй супруги от первого брака , .

Использованные материалы

Жорес Алферов возглавит общественный совет при Минобрнауки. - РИА Новости , 05.07.2012

Госдума 6-го созыва приступила сегодня к работе. - Эхо Москвы , 21.12.2011

ЦИК РФ объявил официальные итоги выборов в Госдуму. - РБК , 09.12.2011

О регистрации федерального списка кандидатов в депутаты Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации шестого созыва, выдвинутого Политической партией "Коммунистическая партия Российской Федерации". - Центральная избирательная комиссия РФ (www.cikrf.ru) , 14.10.2011. - № 45/374-6

Жорес Алферов – живая легенда отечественной науки. Ученый, открытия которого стали основой для создания современных электронных устройств. Наш мир уже невозможно представить без лазеров, полупроводников, светодиодов и оптоволоконных сетей. Все это стало доступно человечеству благодаря изобретениям Жореса Алферова и воспитанных им молодых ученых.

Заслуги российского (в прошлом – советского) физика высоко отмечены во всех уголках Земли и даже в космосе. Астероид (3884) Alferov носит имя лауреата Нобелевской премии, академика РАН и почетного члена международных научных сообществ.

Детство и юность

Детство ученого выпало на тяжелые годы. Мир сильно изменился с тех пор, как в семье коммунистов Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм родился младший сын. Старшего сына родители назвали Марксом (он погиб в последние дни Корсунь-Шевченковской битвы), а младший получил имя в честь Жана Жореса, вождя французских социалистов.

Семья Жореса Алферова: родители и брат

Родившийся 15 марта 1930 года в Витебске ребенок до войны успел исколесить вместе с родителями стройки Сталинграда, Новосибирска, Барнаула и Сясьстроя. Если бы семья Алферовых осталась жить в Белоруссии, то мировая наука могла бы понести огромную утрату, так и не узнав о нем. Национальность Анны Розенблюм стала бы причиной гибели и матери, и сына от рук нацистов.

Годы Второй мировой войны семья жила в Свердловской области, но нормально учиться в школе будущему ученому в это время не довелось. Однако по возвращении в Минск Жорес быстро наверстал упущенное время. Школу закончил с золотой медалью. Сейчас эта школа называется гимназией №42 и носит имя знаменитого ученика.

Учитель физики Яков Борисович Мельцерзон заметил способности юноши и рекомендовал поступать на энергетический факультет Белорусского Политеха. Определившись с кругом научных интересов, Алферов перевелся в ЛЭТИ. В 1952 году начал научную карьеру.

Наука

Выпускник мечтал работать в Физтехе под руководством Абрама Федоровича Иоффе. Физико-технический институт был в послевоенное время легендой. В шутку его именовали «детским садом Иоффе» - именно там росли молодые , и . Там Жорес Иванович стал частью команды, создавшей первые советские транзисторы.

Транзисторы стали темой для кандидатской диссертации молодого ученого. Впоследствии Жорес Иванович переключился на изучение гетероструктур (искусственных кристаллов) и движением в них света и других видов излучения. В его лаборатории работали с лазерами, уже в 1970 году там создали первые в мире солнечные батареи. Ими оснащали спутники, они снабжали электроэнергией орбитальную станцию «Мир».

Занятия прикладной наукой шли параллельно с преподавательской работой. Жорес Иванович писал книги и статьи. Руководил кафедрой оптоэлектроники и лично отбирал студентов. Увлеченные физикой школьники посещали его ежегодные курсы лекций «Физика и жизнь».

Сейчас при Академическом университете, бессменным ректором которого является Жорес Алферов, действует лицей «Физико-техническая школа». Лицей является нижней ступенью научно-образовательного учреждения, в который входит и мощный научно-исследовательский центр. Академик видит в лицеистах будущее российской науки.

«Будущее России - наука и технологии, а не распродажа сырья. И будущее страны не за олигархами, а за кем-то из моих учеников».

Эта цитата из публичного выступления Жореса Ивановича раскрывает веру ученого в победу пытливого разума над желанием обогащения.

Личная жизнь

Возможно, первым научным успехам ученого поспособствовала неудача в личной жизни. Первый брак Жореса Ивановича распался со скандалом. Красавица жена с помощью влиятельных грузинских родственников отсудила у мужа при разводе ленинградскую квартиру. В собственности Алферова остались лишь мотоцикл и раскладушка, на которой он ночевал в лаборатории. Разрыв отношений привел к полной потере отношений отца с дочерью.

Вторично ученый женился только в 1967 году, и этот брак выдержал испытание временем. Вместе с Тамарой Дарской Жорес воспитал ее дочь Ирину и общего сына Ивана. Рождение сына совпало с другим событием в биографии - получением Ленинской премии. Дети давно выросли, Жорес Иванович успел стать дедушкой. У него два внука и внучка.

Последние годы

Авторитет ученого в мировой науке опирается на более 500 научных работ и почти сотню изобретений. Но деятельность Нобелевского лауреата не ограничивалась физикой. Летом 2017 года в стенах Самарского университета академик прочитал открытую лекцию на тему: «Альберт Эйнштейн, социализм и современный мир», где раскрыл вопросы взаимодействия ученых и правителей.

В своих выступлениях ученый называл положение науки в России ужасающим и отстаивал права РАН на самоуправление и достойное финансирование. Ученый считал, что государство должно обеспечивать граждан бесплатной медициной, образованием и жильем, а в противном случае эта структура бесполезна.

Жорес Иванович принимал непосредственное участие в управлении государством. Еще в 1989 году его выбрали народным депутатом СССР от Академии Наук. С тех пор академик постоянно избирался в российскую Думу, активно отстаивая интересы ученых и простых граждан.

В августе 2017 года журнал Форбс включил Жореса Алферова в сотню самых влиятельных россиян последнего столетия. Несмотря на солидный возраст, нобелевский лауреат на видеозаписях и фото выглядел бодрым и уверенным в себе.

Смерть

2 марта 2019 года Жорес Алферов в возрасте 88 лет. Как рассказал журналистам главврач больницы Российской академии наук Олег Чагунава, причиной смерти нобелевского лауреата стала острая сердечно-легочная недостаточность. Накануне Алферов несколько месяцев наблюдался у медиков с жалобой на гипертонию.

Организацию похорон прославленного физика взяла на себя КПРФ.

Награды и достижения

• 1959 - Орден «Знак Почёта»
• 1971 - Медаль Стюарта Баллантайна (США)
• 1972 - Ленинская премия
• 1975 - Орден Трудового Красного Знамени
• 1978 - Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество)
• 1980 - Орден Октябрьской Революции
• 1984 - Государственная премия СССР
• 1986 - Орден Ленина
• 1987 - Золотая медаль Генриха Велкера (Симпозиум по GaAs)
• 1989 - Премия имени Карпинского (ФРГ)
• 1993 - XLIX Менделеевский чтец
• 1996 - Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН)
• 1998 - Почетный доктор СПбГУП
• 1999 - Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени
• 1999 - Демидовская премия (Научный Демидовский фонд)
• 1999 - Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН)
• 2000 - Нобелевская премия (Швеция)
• 2000 - Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени
• 2000 - Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки)
• 2001 - Орден Франциска Скорины (Беларусь)
• 2001 - Премия Киото (Япония)
• 2001 - Премия В. И. Вернадского (Украина)
• 2001 - Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда»
• 2002 - Государственная премия Российской Федерации
• 2002 - Золотая медаль SPIE
• 2002 - Награда «Золотая тарелка» (США)
• 2003 - Орден князя Ярослава Мудрого V степени (Украина)
• 2005 - Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени
• 2005 - Международная энергетическая премия «Глобальная энергия»
• 2008 - Звание и медаль Почётного профессора МФТИ
• 2009 - Орден Дружбы народов (Беларусь)
• 2010 - Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени
• 2010 - Медаль «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» от ЮНЕСКО
• 2011 - Звание «Почётный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета»
• 2013 - Международная премия Карла Боэра
• 2015 - Орден Александра Невского
• 2015 - Золотая медаль имени Низами Гянджеви (Азербайджан)
• 2015 - Звание «Почётный профессор МИЭТ»